[发明专利]一种解决底切问题的刻蚀方法

摘要

本发明公开了一种解决底切的刻蚀方法，该方法包括将第一材料层、掩膜层以及金属层置于密封的工艺腔室，其中该第一材料层设置在该金属层上，该掩膜层设置在该第一材料层上，且该掩膜层上设置有刻蚀图案；在该工艺腔室内采用干法刻蚀，在满足预设条件下对该第一材料层进行刻蚀，直至露出该金属层；该预设条件包括将该工艺腔室的气压设置为50‑70mTorr。与现有在刻蚀沟槽内部形成保护层，以避免后续刻蚀在沟槽底部横向刻蚀形成底切的技术相比，本发明通过控制刻蚀时的气压便可解决底切问题，具有经济实用性，同时对后续工序有更好的兼容性。

主权项

一种解决底切的刻蚀方法，其特征在于，包括：将第一材料层、掩膜层以及金属层置于密封的工艺腔室，其中所述第一材料层设置在所述金属层上，所述掩膜层设置在所述第一材料层上，且所述掩膜层上设置有刻蚀图案；在所述工艺腔室内采用ECCP刻蚀，在满足预设条件下对所述第一材料层进行刻蚀，直至露出所述金属层；其中所述预设条件包括：将所述工艺腔室的气压设置为50‑70mTorr，将预设气体充盈于所述工艺腔室内，其中所述预设气体是由氧气和氟基气体组成的混合气体，所述氧气和氟基气体的比例设置为16:1，将所述工艺腔室的刻蚀源功率设置为4千瓦、偏压功率设置为1千瓦,在10‑30秒内对所述第一材料层进行刻蚀，所述第一材料层是在所述金属层上依次叠置的氮化硅和二氧化硅。