[发明专利]一种高亮度发光二极管及其制造方法有效
| 申请号： | 201510061354.1 | 申请日： | 2015-02-06 |
| 公开（公告）号： | CN104576863B | 公开（公告）日： | 2017-07-18 |
| 发明（设计）人： | 马祥柱;白继锋;杨凯;李俊承;张双翔;张银桥;王向武 | 申请（专利权）人： | 扬州乾照光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/42 |
| 代理公司： | 扬州市锦江专利事务所32106 | 代理人： | 江平 |
| 地址： | 225009 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种高亮度发光二极管及其制造方法，属于光电子技术领域，在制作外延片的P‑GaP电流扩展层时，以镁为掺杂元素；在制作图形化接触点的同时，对接触点以外的P‑GaP电流扩展层表面采用湿法进行粗化处理，粗化深度为200～400nm；在具有图形化接触点的P‑GaP电流扩展层一面沉积材料为铟锡氧化物的透明导电薄膜后制作第一电极；在永久衬底GaAs的另一面制作第二电极。由于氧化铟锡透明薄膜具有良好的电流扩展能力，电极通过该氧化铟锡透明薄膜，再通过接触点将电流均匀注入到整个芯片表面，从而减小了电流在电极下方的积聚，减少了电流的无效注入，提升了产品的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 亮度 发光二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种高亮度发光二极管，在永久衬底GaAs的一面依次设置N‑GaAs过渡层、AlAs/AlGaAs反射层、N‑AlGaInP下限制层、MQW多量子阱有源层、P‑AlGaInP上限制层、P‑GaInP缓冲层、掺杂镁的P‑GaP电流扩展层、氧化铟锡透明薄膜和第一电极，在永久衬底GaAs的另一面设置第二电极，其特征在于在所述掺杂镁的P‑GaP电流扩展层和氧化铟锡透明薄膜之间设置图形化的接触点；所述掺杂镁的P‑GaP电流扩展层中，接近缓冲层的镁的掺杂浓度为4×1017cm‑3～8×1017cm‑3，远离缓冲层的镁的掺杂浓度为8×1017cm‑3～1×1019cm‑3，远离缓冲层的镁的掺杂深度为300nm～500nm。
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