[发明专利]具有用于多值逻辑应用的多层鳍部的鳍式场效晶体管及其形成方法有效
| 申请号： | 201510064958.1 | 申请日： | 2015-02-06 |
| 公开（公告）号： | CN104835846B | 公开（公告）日： | 2018-09-28 |
| 发明（设计）人： | M-h·齐;A·雅各布;A·保罗 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 开曼群岛;KY |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种具有用于多值逻辑应用的多层鳍部的鳍式场效晶体管及其形成方法，其中，揭露形成具有小占用面积的多值逻辑晶体管的方法及所得到的装置。实施例包括于硅基板上形成多个鳍片，各该鳍片以硬掩模覆盖住；以氧化物填充该鳍片与该硬掩模之间的空间；移除该硬掩模且使各该鳍片凹陷，在各鳍片上方氧化物中形成凹穴；在各该凹穴中形成多层硅基底层，该些硅基底层具有从底层到顶层逐渐增加的锗或碳含量的比例或逐渐减少的掺杂浓度；对鳍片的顶部进行化学机械抛光以达到平坦化；使该氧化物凹陷到一稍微低于鳍片顶部的深度，且鳍片的厚度相等于各该硅基底层的厚度；以及于该多层硅基底层上方形成一高k值介电栅极及金属栅极电极。 | ||
| 搜索关键词： | 鳍片 硅基底层 多层 多值逻辑 硬掩模 鳍式场效晶体管 凹陷 氧化物 凹穴 鳍部 化学机械抛光 金属栅极电极 氧化物填充 厚度相等 逐渐增加 硅基板 平坦化 晶体管 顶层 介电 移除 应用 掺杂 占用 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种形成半导体装置的方法，包括:于硅基板上形成多个鳍片，各该鳍片以硬掩模覆盖；以氧化物填充该些鳍片与该些硬掩模之间的空间；移除该硬掩模且使各该鳍片凹陷，在各该鳍片上方的该氧化物中形成凹穴；在各该凹穴中形成多层硅基底(Si‑based)层，该些硅基底层从底层到顶层具有逐渐增加的锗(Ge)或碳(C)含量的比例或逐渐减少的掺杂物浓度；对该些鳍片的顶部进行化学机械抛光以达到平坦化；使该氧化物凹陷到低于该些鳍片的底部的深度，该些鳍片的厚度相等于各该硅基底层的厚度；以及于该多层硅基底层上方形成高k栅极介电及金属栅极电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于格罗方德半导体公司，未经格罗方德半导体公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510064958.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：管路固定支架及空调器
- 下一篇：一种电缆涵洞送线器
- 同类专利
- 专利分类
