[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201510066555.0 | 申请日： | 2015-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN105633156A | 公开（公告）日： | 2016-06-01 |
| 发明（设计）人： | 朱慧珑;钟健 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 提供了一种半导体器件及其制造方法。一示例器件可以包括：在衬底上形成的栅堆叠；在衬底中相对于栅堆叠处于相对侧的源区和漏区；以及自对准于栅堆叠下方、位于源区和漏区之间的超陡后退阱，其中，超陡后退阱的横向边缘不超出栅堆叠或源漏延伸区的相应横向边缘。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：在衬底上形成的栅堆叠；在衬底中相对于栅堆叠处于相对侧的源区和漏区；以及自对准于栅堆叠下方、位于源区和漏区之间的超陡后退阱，其中，超陡后退阱的横向边缘不超出栅堆叠或源漏延伸区的相应横向边缘。
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