[发明专利]用于相变存储器的GeSb基掺氮纳米薄膜材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201510067700.7 | 申请日： | 2015-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN104659209B | 公开（公告）日： | 2017-09-29 |
| 发明（设计）人： | 朱小芹;潘佳浩;吴小丽;胡益丰;薛建忠;袁丽;吴卫华;张建豪;江向荣 | 申请（专利权）人： | 江苏理工学院 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;C23C14/35 |
| 代理公司： | 常州市江海阳光知识产权代理有限公司32214 | 代理人： | 孙培英 |
| 地址： | 213001 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种用于相变存储器的GeSb基掺氮纳米薄膜材料及其制备方法，化学组成通式为（Ge10Sb90）xN1‑x，其中x=0.50～0.90。与传统的Ge2Sb2Te5相变薄膜材料相比，本发明的GeSb基掺氮纳米薄膜材料具有较快的晶化速度，能够大大提高PCRAM的存储速度；另外GeSb基掺氮纳米薄膜材料具有较高的晶化温度和激活能，从而能够极大的改善PCRAM的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 相变 存储器 gesb 基掺氮 纳米 薄膜 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种用于相变存储器的GeSb基掺氮纳米薄膜材料，其特征在于：化学组成通式为（Ge10Sb90）xN1‑x，其中x=0.55～0.80。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏理工学院，未经江苏理工学院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510067700.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：有机电致发光器件及其制备方法
- 下一篇：提高隧道结薄膜磁电阻效应的制备方法
