[发明专利]用于相变存储器的SbSe基掺氮纳米薄膜材料及其制备方法在审
| 申请号： | 201510067737.X | 申请日： | 2015-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN104681720A | 公开（公告）日： | 2015-06-03 |
| 发明（设计）人： | 吴卫华;胡益丰;朱小芹;眭永兴;袁丽;薛建忠;郑龙;邹华 | 申请（专利权）人： | 江苏理工学院 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 常州市江海阳光知识产权代理有限公司 32214 | 代理人： | 孙培英 |
| 地址： | 213001 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于相变存储器的SbSe基掺氮纳米薄膜材料及其制备方法，纳米薄膜材料的化学组成通式为（Sb70Se30）xN1-x，其中x=0.69～0.75。与传统的Ge2Sb2Te5相变薄膜材料相比，本发明的用于相变存储器的SbSe基掺氮纳米薄膜材料具有较快的晶化速度，能够大大提高PCRAM的存储速度；同时本发明的薄膜材料具有较高的晶化温度和激活能，从而能够极大的改善PCRAM的稳定性。制备方法通过控制磁控溅射时通入的氮气流量来控制SbSe基掺氮纳米薄膜材料中氮元素的含量，氮元素的含量能够得到精确的控制。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 相变 存储器 sbse 基掺氮 纳米 薄膜 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种用于相变存储器的SbSe基掺氮纳米薄膜材料，其特征在于：化学组成通式为（Sb70Se30）xN1‑x，其中x=0.69～0.75。
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