[发明专利]频率感知的快速DFF软错误率评估方法与系统有效

专利信息
申请号: 201510067789.7 申请日: 2015-02-09
公开(公告)号: CN104615829B 公开(公告)日: 2017-12-01
发明(设计)人: 绳伟光;毛志刚 申请(专利权)人: 上海交通大学
主分类号: G06F17/50 分类号: G06F17/50
代理公司: 上海旭诚知识产权代理有限公司31220 代理人: 郑立
地址: 200240 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种频率感知的快速DFF软错误率评估方法,用于评估DFF由于中子辐射而发生的软错误率,包括在DFF的工作频率范围内选定多个工作频率,获取DFF的与这些选定的工作频率一一对应的多个软错误率,对这些软错误率与选定的工作频率进行拟合,获得软错误率相关于工作频率的函数关系,根据该函数关系,获得工作在任意工作频率的DFF的软错误率。本发明相应地公开了一种频率感知的快速DFF软错误率评估系统。本发明针对现有方法评测速度慢的问题,解决了时序逻辑部件的快速软错误率评测问题,以本发明为基础进行方法的组合与扩展可以同时解决评测速度与时序逻辑电路评测的问题。
搜索关键词: 频率 感知 快速 dff 错误率 评估 方法 系统
【主权项】:
一种频率感知的快速DFF软错误率评估方法,用于评估DFF由于中子辐射而发生的软错误率,其特征在于,包括:在所述DFF的工作频率范围内选定多个工作频率;获取所述DFF与所述多个选定的工作频率一一对应的多个所述软错误率,所述多个软错误率中的每一个分别为工作在一个所述选定的工作频率的所述DFF的所述软错误率;对所述多个软错误率与所述多个选定的工作频率进行拟合,获得所述软错误率相关于所述工作频率的函数关系;根据所述函数关系,获得工作在任意工作频率的所述DFF的所述软错误率;进一步地,通过在MOS管的漏极和衬底之间布置电流源,通过所述电流源向各个所述MOS管注入电荷实现对所述DFF注入电荷;进一步地,对所述DFF中的每个MOS管都进行一次所述注入电荷;进一步地,获取工作在所述选定的工作频率的所述DFF的所述软错误率包括:步骤一、启用HSpice,准备所述DFF的Spice网表和所述多个负载向量;各个所述负载向量的第一列对应所述DFF的输入端,第二列对应所述DFF的输出端;所述多个负载向量的个数不小于10;步骤二、将所述DFF的工作频率设定为所述选定的工作频率;设定对所述DFF的随机故障注入的最大注入时间,设定注入时间点的数目;设定所述电流源向所述DFF注入电荷的电量范围和注入程序;所述注入程序为从所述电量范围的最小电量开始,递增所述注入电荷的电量,直到所述电量范围的最大电量;步骤三、对工作在所述选定的工作频率的所述DFF进行所述随机故障注入,将各个所述负载向量施加于所述DFF,根据所述注入程序,以每一次递增的注入电荷的电量依次对所述DFF注入电荷;对以任何一个注入电荷的电量对所述DFF注入电荷时,注入次数为注入时间点的数目;其中每一次对所述DFF注入电荷时,随机选择起始注入时间,在所述DFF中的每个所述MOS管上布置电流源以所述的注入电荷的电量向所述MOS管注入电荷直至最大注入时间。
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