[发明专利]一种改善量子点发光二极管寿命的方法

摘要

本发明属于电致发光器件领域，涉及一种改善量子点发光二极管寿命的方法，其作为发光层的量子点的壳和核体积比大于601。所选用量子点的核和壳层材料均为II‑VI族材料，可以为CdSe/ZnS、CdSe/ZnCdS/ZnS、CdSe/CdS、ZnCdSe/ZnS或ZnCdSe/ZnSe/ZnS等。壳层可由ZnCdS与ZnS、或ZnSe与ZnS等复合而成。该方法利用“巨壳型”量子点作为发光层，有效地抑制了量子点的荧光闪烁，提高了其抗光漂白的能力，并由此有效地改善了半导体荧光量子点作为发光层的电致发光器件的寿命。

主权项

一种改善量子点发光二极管寿命的方法，其特点在于，作为发光层的量子点的壳体积是核体积的72倍；在旋涂有空穴注入层和空穴传输层的ITO电极上涂覆一定浓度的“巨壳型”量子点溶液作为发光层，再依次涂覆相应的电子传输层、背电极就得到了 “巨壳型”量子点发光二极管，所述得到空穴传输层的方法为：将旋涂好PEDOT:PSS薄膜的ITO玻璃基片在空气中于150℃干燥15min，然后将其转移至手套箱中旋涂质量浓度为1.5wt%的TFB氯苯溶液40nm作为空穴传输层，并在手套箱中110℃干燥30min；所述得到发光层的方法为：继续旋涂浓度为18mg/mL的蓝色“巨壳型”量子点ZnCdSe/ZnS作为发光层；所述得到电子传输层的方法为：采用旋涂的方法制备厚度为32nm的氧化锌电子传输层。