[发明专利]一种无残余应力薄膜及其制备方法和在纳米压痕法中应用有效
| 申请号： | 201510069498.1 | 申请日： | 2015-02-11 |
| 公开（公告）号： | CN104729897B | 公开（公告）日： | 2020-04-17 |
| 发明（设计）人： | 王海斗;徐滨士;金国;刘金娜 | 申请（专利权）人： | 中国人民解放军装甲兵工程学院 |
| 主分类号： | G01N1/28 | 分类号： | G01N1/28;G01N3/42 |
| 代理公司： | 北京华圣典睿知识产权代理有限公司 11510 | 代理人： | 陈国伟 |
| 地址： | 100072 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种无残余应力薄膜，该薄膜主要用于压痕法计算残余应力的大小，是一种金属薄膜，所述金属薄膜是通过物理气相沉积或化学气相沉积将该薄膜溅射或沉积在单晶晶体上，随后去除晶体而得到。本发明还公开了该无残余应力薄膜的制备方法和在纳米压痕法中的应用。本发明获得的无残余应力的试样薄膜与基底结合的界面应力完全去除，且纳米压痕试验过程中，薄膜能够无底面支撑，以防底面对测量结果产生影响。该无残余应力的薄膜大大提高了纳米压痕测试法Suresh理论模型的适应性和实用性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 残余 应力 薄膜 及其 制备 方法 纳米 压痕 应用 | ||
【主权项】：
一种无残余应力薄膜，其特征在于，该薄膜主要用于压痕法计算残余应力的大小，是一种金属薄膜，所述金属薄膜是通过物理气相沉积或化学气相沉积将该薄膜溅射或沉积在单晶晶体上，随后去除晶体而得到。
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