[发明专利]一种电子产品用多晶透明陶瓷的制备方法有效
| 申请号： | 201510070104.4 | 申请日： | 2015-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN104844270A | 公开（公告）日： | 2015-08-19 |
| 发明（设计）人： | 张文阳 | 申请（专利权）人： | 苏州亚晶新材料有限公司 |
| 主分类号： | C04B41/53 | 分类号： | C04B41/53;C04B41/91 |
| 代理公司： | 无锡市汇诚永信专利代理事务所(普通合伙) 32260 | 代理人： | 张欢勇 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市苏州工*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种电子产品用多晶透明陶瓷的制备方法，包括以下步骤：1、多晶透明陶瓷切割；2、磨边处理；3、磨平、等离子蚀刻表面去损伤层去应力、溶液腐蚀边缘；4、退火；5、抛光；6、清洗；7、镀膜。通过在传统的磨边、磨平工艺后，增加等离子蚀刻表面去损伤层去应力和腐蚀去损伤层去应力工艺，可消除磨边、磨平后多晶透明陶瓷表面损伤的应力层和边缘的砂口，最终大幅度提高多晶透明陶瓷的强度，可使多晶透明陶瓷产品满足各类电子类产品对强度的要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电子产品 多晶 透明 陶瓷 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种电子产品用多晶透明陶瓷的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1、多晶透明陶瓷切割；2、磨边处理；3、磨平；4、退火；5、抛光；6、清洗；7、镀膜，在步骤3中还包括下述工序：a、等离子蚀刻表面去损伤层去应力，将多晶透明陶瓷半成品平放于等离子蚀刻机的蚀刻腔内，关闭腔盖，将蚀刻腔抽真空至0.001Tor后，充入蚀刻气体和辅助气体，蚀刻气体体积流量为40‑150sccm，辅助气体体积流量为4‑30sccm，偏压设定为‑100‑‑600V，蚀刻时间为1‑6分钟，蚀刻完毕后将多晶透明陶瓷半成品取出，依次进行浸泡清洗和烘干；b、溶液腐蚀边缘，将烘干后的多晶透明陶瓷半成品放入装有浓度为60‑80％的KOH溶液的腐蚀槽中，溶液温度为200‑350℃，腐蚀1‑3小时后将多晶透明陶瓷半成品从槽中取出，静置30分钟，然后依序进行清洗和烘干。
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