[发明专利]基于MoS2和Ag修饰硅纳米线阵列光电化学析氢电极及其应用在审
| 申请号： | 201510075781.5 | 申请日： | 2015-02-12 |
| 公开（公告）号： | CN104630821A | 公开（公告）日： | 2015-05-20 |
| 发明（设计）人： | 乔雷;李艳虹;周明;廖明佳;肖鹏;张云怀;张胜涛;陈刚才;张晟;周志恩 | 申请（专利权）人： | 重庆市环境科学研究院 |
| 主分类号： | C25B11/02 | 分类号： | C25B11/02;C25B11/04;C25B1/04 |
| 代理公司： | 北京同恒源知识产权代理有限公司11275 | 代理人： | 赵荣之 |
| 地址： | 401147重庆*** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | 本发明公开了基于MoS2和Ag修饰硅纳米线阵列光电化学析氢电极及三电极体系和应用，其中MoS2和Ag修饰硅纳米线阵列光电化学析氢电极包括硅纳米线阵列、具有电荷转移功能的Ag纳米颗粒层和MoS2纳米颗粒层，硅纳米线阵列采用两步金属辅助催化无电刻蚀法制备，MoS2纳米颗粒层采用热分解技术复合于Ag纳米颗粒层修饰的硅纳米线阵列表面，通过在MoS2修饰硅纳米线阵列中增加Ag作为电荷转移介质，提高了固固界面的电荷转移，为MoS2上的氢还原反应提供更多的光生电子，使得光生电子参与氢还原反应的机率大大提高，提高了能量转换效率，将其构建三电极体系后能够用于工业分解水获得氢能。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 mos2 ag 修饰 纳米 阵列 光电 化学 电极 及其 应用 | ||
【主权项】：
基于MoS2和Ag修饰硅纳米线阵列光电化学析氢电极，其特征在于：包括导电基底和复合在导电基底上的硅纳米线阵列，所述硅纳米线阵列表面复合有Ag纳米颗粒团簇和MoS2纳米颗粒团簇，所述Ag纳米颗粒团簇位于硅纳米线阵列和MoS2纳米颗粒团簇之间。
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