[发明专利]阵列基板制造方法、阵列基板和显示装置

摘要

本发明是关于一种阵列基板制造方法、阵列基板和显示装置，属于显示设备领域。所述方法包括：在基板上形成厚度为d的金属图案；在形成金属图案的基板上形成绝缘膜层，绝缘膜层与金属图案存在交叠区域，绝缘膜层的交叠区域与绝缘膜层的其它区域的高度差的绝对值小于d；在形成绝缘膜层的基板上形成半导体层以及源漏金属层图案。本发明通过使绝缘膜层的交叠区域与绝缘膜层的其它区域的高度差的绝对值小于d，继而在形成绝缘膜层的基板上形成的其他图案的起伏相应减小，达到了能够减小绝缘膜层上形成的走线的断线率，提高产品良率的效果。

主权项

1.一种阵列基板制造方法，其特征在于，所述方法包括：在基板上形成厚度为d的金属图案；在形成所述金属图案的基板上形成绝缘膜层，所述绝缘膜层与所述金属图案存在交叠区域，所述绝缘膜层的交叠区域与所述绝缘膜层的其它区域的高度差的绝对值小于所述d；在形成所述绝缘膜层的基板上形成半导体层以及源漏金属层图案；所述在形成所述金属图案的基板上形成绝缘膜层，包括：在形成所述金属图案的基板上形成有机膜层，所述有机膜层与所述金属图案存在交叠区域，所述有机膜层的交叠区域在所述有机膜层上凸起；对所述有机膜层的交叠区域进行减厚处理，使处理后的所述有机膜层的交叠区域与所述有机膜层的其它区域的高度差的绝对值小于所述d，且处理后的所述有机膜层的交叠区域存在所述有机膜层；在形成所述有机膜层的基板上形成所述绝缘膜层；或，所述绝缘膜层采用有机膜层材料形成，在形成所述金属图案的基板上形成有机膜层，所述有机膜层与所述金属图案存在交叠区域，所述有机膜层的交叠区域在所述有机膜层上凸起；对所述有机膜层的交叠区域进行减厚处理，使处理后的所述有机膜层的交叠区域与所述有机膜层的其它区域的高度差的绝对值小于所述d，且处理后的所述有机膜层的交叠区域存在所述有机膜层。