[发明专利]一种蚀刻方法在审
| 申请号： | 201510078773.6 | 申请日： | 2015-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN104674220A | 公开（公告）日： | 2015-06-03 |
| 发明（设计）人： | 何荣特 | 申请（专利权）人： | 河源西普电子有限公司 |
| 主分类号： | C23F1/02 | 分类号： | C23F1/02;C23F1/16 |
| 代理公司： | 广州凯东知识产权代理有限公司 44259 | 代理人： | 罗丹 |
| 地址： | 517000 广东省河源市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种蚀刻方法，包括以下步骤：步骤一：提供待蚀刻的基板，并对基板进行清洗；步骤二：在基板表面网印液态光致抗蚀油墨，用以遮蔽不需要蚀刻的部分，并进行干燥、曝光、显影、水洗、干燥；步骤三：将基板放入蚀刻机，蚀刻的温度为20-35℃；步骤四：去除保护层，水洗，干燥得到成品。本发明的蚀刻方法采用过氧化氢、过硫酸铵、氨基酸、磷酸、磷酸铵、去离子水作为蚀刻液，采用光致抗蚀油墨作为保护层，原料易得、价格便宜、抗蚀性也好、去膜方便，本发明的蚀刻方法蚀刻速度快、蚀刻效果好、蚀刻完全且均匀。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 蚀刻 方法 | ||
【主权项】：
一种蚀刻方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一：提供待蚀刻的基板，并对基板进行清洗；步骤二：在基板表面网印液态光致抗蚀油墨，用以遮蔽不需要蚀刻的部分，并进行干燥、曝光、显影、水洗、干燥；步骤三：将基板放入蚀刻机，蚀刻的温度为20‑35℃；步骤四：去除保护层，水洗，干燥得到成品。
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