[发明专利]采用深沟槽隔离的图像传感器及其制作方法

摘要

本发明提供一种采用深沟槽隔离的图像传感器及其制作方法，该方法至少包括步骤：提供衬底；于所述衬底上形成隔离像素单元的隔离结构；采用选择性外延的方式形成覆盖隔离结构的外延单晶硅层；在所述外延单晶硅层中形成图像传感器的部分器件。本发明于形成图像传感器器件之前形成深沟槽隔离结构，该隔离结构的表面形状较好、缺陷较少，并且可以通过外延高温过程进行修复，进一步消除缺陷的影响，使得隔离结构的界面更加优良，由于深沟槽隔离结构在器件之前形成，工艺手段、环境的可选择性较广，无需考虑对器件的损害，用于形成器件的外延单晶硅层在隔离结构形成后生长，高温制程保证了不会有应力传导进硅器件区域，保证了图像传感器器件性能。

主权项

1.一种采用深沟槽隔离的图像传感器的制作方法,其特征在于,至少包括步骤:提供衬底；于所述衬底上形成隔离像素单元的隔离结构；采用选择性外延的方式形成覆盖隔离结构的外延单晶硅层；在所述外延单晶硅层中形成图像传感器的部分器件；其中，形成图像传感器的部分器件之前，通过高于800摄氏度的高温过程修复隔离结构的表面；其中，形成隔离结构的步骤包括：在衬底上形成若干深沟槽，填充介质和导电材质至深沟槽中以形成隔离结构，所述衬底包括基底层和外延层，对基底层和隔离结构进行预掺杂，以便通过自掺杂使得隔离结构包围区域的硅具有由界面向硅中心方向的浓度梯度分布的掺杂层；或者，形成隔离结构的步骤包括：在衬底上形成介质层，刻蚀介质层以形成若干凸起的隔离结构，对衬底和隔离结构进行预掺杂，以便通过自掺杂使得隔离结构包围区域的硅具有由界面向硅中心方向的浓度梯度分布的掺杂层。