[发明专利]半导体装置及用于驱动半导体装置的方法

摘要

本发明涉及半导体装置及用于驱动半导体装置的方法。所公开的是用作多值化存储器设备的半导体器件，包括：串联连接的存储单元；选择存储单元并驱动第二信号线和字线的驱动器电路；选择写入电位中的任意并将其输出至第一信号线的驱动器电路；比较位线的电位和参考电位的读取电路；以及产生写入电位和参考电位的电位产生电路。一个存储单元包括：连接至位线和源线的第一晶体管；连接至第一和第二信号线的第二晶体管；以及连接至字线、位线、以及源线的第三晶体管。第二晶体管包括氧化物半导体层。第一晶体管的栅电极连接至第二晶体管的源和漏电极中的一个。

主权项

一种半导体装置，包括：第一线；第二线；第三线；在所述第一线和所述第二线之间串联连接的第一存储器单元和第二存储器单元；第一电路，被配置为选择并输出多个写入电位中的任意至所述第三线；以及第二电路，被配置为将所述第二线的电位与多个参考电位作比较以读出数据，其中，所述第一存储器单元和所述第二存储器单元中的每一个都包括：包含第一栅极、第一源极和第一漏极的第一晶体管；包含第二栅极、第二源极和第二漏极的第二晶体管；以及包含第三栅极、第三源极和第三漏极的第三晶体管，其中，所述第二晶体管包含包括氧化物半导体的沟道形成区，且其中，所述第一栅极与所述第二源极和所述第二漏极中的一个彼此电连接，其中，所述第一线、所述第一源极和所述第三源极彼此电连接，其中，所述第二线、所述第一漏极和所述第三漏极彼此电连接，且其中，所述第三线与所述第二源极和所述第二漏极中的另一个彼此电连接。