[发明专利]一种简易倒装LED及其制作方法有效
| 申请号： | 201510082021.7 | 申请日： | 2015-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN104659169A | 公开（公告）日： | 2015-05-27 |
| 发明（设计）人： | 于婷婷;徐惠文;张宇;李起鸣 | 申请（专利权）人： | 映瑞光电科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/20 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201306 上海市浦东新区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种简易倒装LED及其制作方法，包括步骤：首先提供一衬底，在所述衬底表面自下而上依次生长N型GaN层、多量子阱层及P型GaN层；然后刻蚀所述P型GaN层、多量子阱层及N型GaN层，形成暴露所述N型GaN层的第一通孔；接着在所述P型GaN表面形成反射金属；接着在所述第一通孔底部的N型GaN层表面形成N金属层，同时在所述反射金属表面形成阻挡层；再形成隔离层，刻蚀所述隔离层形成暴露所述N金属层的第二通孔、同时形成暴露所述阻挡层的第三通孔；最后淀积电极层，在隔离层表面及第二通孔中形成N电极，在隔离层表面及第三通孔中形成P电极。本发明制作的倒装LED芯片，从工艺上简化，从而减少了生产成本，为倒装芯片大规模量产提供了可能性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 简易 倒装 led 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种简易倒装LED的制作方法，其特征在于，所述制作方法至少包括：提供一衬底，在所述衬底表面自下而上依次生长N型GaN层、多量子阱层及P型GaN层；刻蚀所述P型GaN层、多量子阱层及N型GaN层，形成暴露所述N型GaN层的第一通孔；在所述P型GaN层表面形成反射金属；在所述第一通孔底部的N型GaN层表面形成N金属层，同时在所述反射金属表面形成阻挡层；形成隔离层，刻蚀所述隔离层形成暴露所述N金属层的第二通孔、同时形成暴露所述阻挡层的第三通孔；淀积电极层，在隔离层表面及第二通孔中形成N电极，在隔离层表面及第三通孔中形成P电极。
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