[发明专利]激光加工槽的检测方法有效
申请号: | 201510082171.8 | 申请日: | 2015-02-15 |
公开(公告)号: | CN104842075B | 公开(公告)日: | 2018-04-06 |
发明(设计)人: | 法积大吾;大久保广成 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;B23K26/364;B23K26/402;B23K26/064;B23K26/03 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司11127 | 代理人: | 李辉,黄纶伟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供一种激光加工槽的检测方法,其能够抑制粗槽的位置偏移对器件的影响。激光加工槽的检测方法包括第1切口检查步骤(ST1)和第2切口检查步骤(ST3)。在第1切口检查步骤(ST1)中,利用第1激光光线在分割预定线处形成第1槽,并在形成第2槽之前,利用摄像构件对第1槽进行摄像,检测出第1槽的位置。在第2切口检查步骤(ST3)中,利用第2激光光线在晶片的没有形成第1槽的外周剩余区域的分割预定线处形成第2槽,并利用摄像构件对第2槽进行摄像,检测出第2槽的位置。在激光加工槽的检测方法中,检测出第1槽和第2槽的偏移,将第1槽和第2槽定位在规定的位置。 | ||
搜索关键词: | 激光 加工 检测 方法 | ||
【主权项】:
一种激光加工槽的检测方法,其是在晶片的加工方法中为了将第1槽和第2槽定位于规定的位置而检测该第1槽和该第2槽的位置的检测方法,在所述晶片的加工方法中,使用激光加工装置向晶片照射第1激光光线,至少在分割预定线的两侧形成第1槽,然后利用第2激光光线形成边缘部与该第1槽重叠的第2槽,所述晶片具备:器件区域,在该器件区域中,利用层叠在晶片的正面的层叠体在由形成为格子状的分割预定线划分出的区域中形成有器件;和外周剩余区域,该外周剩余区域围绕该器件区域,所述激光加工装置包括:卡盘工作台,其保持晶片;激光光线照射构件,其对保持在该卡盘工作台上的晶片照射对于该晶片具有吸收性的波长的激光光线,在晶片的正面形成激光加工槽;和摄像构件,其对晶片的正面进行摄像,该激光光线照射构件具备:激光振荡器;1/2波长板,从该激光振荡器振荡出的激光光线入射至该1/2波长板;分支构件,其将通过该1/2波长板后的激光光线分支为第1激光光线和第2激光光线;光束调整构件,其调整该第2激光光线的光束直径;和聚光透镜,其使该第1激光光线和通过该光束调整构件后的该第2激光光线会聚,该激光光线照射构件通过该1/2波长板选择性地照射该第1激光光线和该第2激光光线,所述激光加工槽的检测方法的特征在于,在检测该第1槽的位置时,通过第1激光光线在该分割预定线处形成该第1槽,在形成该第2槽之前,利用该摄像构件对该第1槽进行摄像,检测出该第1槽的位置,在检测该第2槽的位置时,通过该第2激光光线在晶片的没有形成该第1槽的该外周剩余区域的分割预定线处形成该第2槽,并利用该摄像构件对该第2槽进行摄像,检测出该第2槽的位置,将该第1槽和该第2槽定位于规定的位置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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