[发明专利]分析装置及电子设备

摘要

涉及分析装置及电子设备。分析装置具备电场增强元件，包括金属层、设置于金属层上使激发光透过的透光层及设置于透光层上沿第一方向和与第一方向交叉的第二方向排列的多个金属粒子；光源，将沿第一方向偏振的直线偏振光、沿第二方向偏振的直线偏振光和圆偏振光的至少一个作为激发光照射至电场增强元件；及检测器，检测从电场增强元件发射的光，在金属粒子激发的局域型表面等离子体和在金属层与透光层的界面激发的传播型表面等离子体电磁地相互作用，将透光层厚度设为G[nm]、透光层的有效折射率设为n_eff、激发光波长设为λ_i[nm]时，满足20[nm]＜G·(n_eff/1.46)≤140[nm]·(λ_i/785[nm])的关系。

主权项

一种分析装置，其特征在于，具备：电场增强元件，包括：金属层、设置于所述金属层上并使激发光透过的透光层、及设置于所述透光层上并沿第一方向和与所述第一方向交叉的第二方向排列的多个金属粒子；光源，将沿所述第一方向偏振的直线偏振光、沿所述第二方向偏振的直线偏振光以及圆偏振光中的至少一个作为所述激发光而照射至所述电场增强元件；以及检测器，检测从所述电场增强元件发射的光，在所述金属粒子上激发的局域型表面等离子体和在所述金属层与所述透光层的界面上激发的传播型表面等离子体电磁地相互作用，将所述透光层的厚度设为G、将所述透光层的有效折射率设为n_eff、将所述激发光的波长设为λ_i时，其中，所述G和所述λ_i的单位为nm，下述式(1)的关系被满足：20[nm]＜G·(n_eff/1.46)≤140[nm]·(λ_i/785[nm])···(1)。