[发明专利]一种具有新型材料结构的矩形微带贴片天线太赫兹波源

摘要

一种具有新型材料结构的矩形微带贴片天线太赫兹波源，包括有超窄双阱的RTD器件，所述的超窄双阱的RTD器件的集电区金属电极上连接有第一矩形微带贴片天线，所述的超窄双阱的RTD器件的发射区金属电极上连接有第二矩形微带贴片天线，所述的第一矩形微带贴片天线和第二矩形微带贴片天线的上端面位于同一水平面上，所述的超窄双阱的RTD器件分别与所述的第一矩形微带贴片天线之间的空间以及与第二矩形微带贴片天线之间的空间均填充有二氧化硅钝化层。本发明天线的制作可以与引线的引出合二为一，减少工艺步骤，从而降低成本，提高了器件的集成度和实用性；微带天线天线的辐射方向垂直于天线水平面，这样就实现了芯片之间的竖直通信。

主权项

一种具有新型材料结构的矩形微带贴片天线太赫兹波源，其特征在于，包括有超窄双阱的RTD器件(1)，所述的超窄双阱的RTD器件(1)的集电区金属电极上连接有第一矩形微带贴片天线(2)，所述的超窄双阱的RTD器件(1)的发射区金属电极上连接有第二矩形微带贴片天线(3)，所述的第一矩形微带贴片天线(2)和第二矩形微带贴片天线(3)的上端面位于同一水平面上，所述的超窄双阱的RTD器件(1)分别与所述的第一矩形微带贴片天线(2)之间的空间以及与第二矩形微带贴片天线(3)之间的空间均填充有二氧化硅钝化层(4)，所述的超窄双阱的RTD器件(1)包括有由下至上依次形成的衬底(11)、缓冲层(12)和发射区电极接触层(13)，所述发射区电极接触层(13)上分别形成有发射区(14)和发射区金属电极(115)，所述发射区(14)上由下至上依次形成有发射区隔离层(15)、第一势垒(16)、第一势阱(17)、子势阱(18)、第二势阱(19)、第二势垒(110)、集电区隔离层(111)、集电区(112)、集电区电极接触层(113)和集电区金属电极(114)。