[发明专利]非易失性锁存电路和逻辑电路以及使用它们的半导体器件

摘要

为了提供新的非易失性锁存电路以及使用非易失性锁存电路的半导体器件，非易失性锁存电路包括：锁存部分，具有循环结构，其中第一元件的输出电连接到第二元件的输入，并且第二元件的输出电连接到第一元件的输入；以及数据保存部分，配置成保存锁存部分的数据。在数据保存部分中，将使用氧化物半导体作为用于形成沟道形成区的半导体材料的晶体管用作开关元件。另外，包括电连接到晶体管的源电极或漏电极的电容器。

主权项

一种半导体器件，包括：第一元件；第二元件；在所述第一元件和所述第二元件之上的绝缘层；以及包括晶体管和电容器的数据保存部分，其中，所述第一元件的输出电连接到所述第二元件的输入，并且所述第二元件的输出电连接到所述第一元件的输入，其中，所述第一元件和所述第二元件的每一个包括晶体管，所述晶体管的沟道形成区包括晶体硅，其中，所述数据保存部分的所述晶体管的沟道形成区包括所述绝缘层之上的氧化物半导体层，其中，所述数据保存部分的所述晶体管的源极和漏极其中之一电连接到所述电容器的一对电极之一，以及其中，所述数据保存部分的所述晶体管的所述源极和所述漏极中的另一个电连接到所述第一元件的所述输入和提供有输入信号的布线。