[发明专利]一种惰性合金基材表面制备致密分子筛膜的方法有效
| 申请号： | 201510085575.2 | 申请日： | 2015-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN104649293B | 公开（公告）日： | 2017-03-01 |
| 发明（设计）人： | 厉刚 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C01B39/04 | 分类号： | C01B39/04 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司33200 | 代理人： | 林超 |
| 地址： | 310058 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种惰性合金基材表面制备致密分子筛膜的方法。配制合成液A对惰性合金基材进行处理使合金表面原位成核；配制另一合成液B，进行预先活化后转移至不锈钢反应釜内，将惰性合金基材垂直浸于预先活化后的合成液B中进行水热晶化，使惰性合金表面已存在的晶核发生二次生长或发生二次成核生长，得到致密分子筛膜。本发明采用原位成核与二次生长相结合的技术，特别是二次生长过程中使用预先活化后的合成液，能容易在惰性合金基材表面获得致密连续的分子筛膜，适用于在不同材质的惰性合金表面制备不同类型的分子筛膜，具有较好的普适性、工艺简单、易于工业化等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 惰性 合金 基材 表面 制备 致密 分子筛 方法 | ||
【主权项】：
一种惰性合金基材表面制备致密分子筛膜的方法，其特征在于包括如下步骤：1）配制由硅源、铝源、碱、模板剂、去离子水组成的合成液A对惰性合金基材进行处理使合金表面原位成核；2）配制由硅源、铝源、碱、模板剂、去离子水组成的另一合成液B，进行预先活化，然后转移至聚四氟乙烯衬里的不锈钢反应釜内，将表面已原位成核的惰性合金基材垂直 浸于预先活化后的合成液B中，进行水热晶化，使惰性合金表面已存在的晶核发生二次生长或发生二次成核生长，得到致密分子筛膜；所述步骤2）中的活化条件为80‑200℃下水热反应2‑100h。
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