[发明专利]一种大岩桐离体再生体系建立方法

摘要

本发明公开了一种大岩桐离体再生体系建立方法，涉及大岩桐（Sinningia speciosa）通过植物组织培养方法短时间内获得大量优质大岩桐种苗的方法。本发明以大岩桐幼嫩叶片为外植体，经过外植体消毒、不定芽诱导培养、增殖培养、生根培养、炼苗及移栽等步骤建立了一种大岩桐离体再生体系建立方法，为满足对大岩桐优质种苗的需求、加速大岩桐良种的推广具有重要的现实意义。

主权项

一种大岩桐离体再生体系建立方法，其特征在于包括以下步骤：（1）外植体消毒：从盒栽的生长旺盛的大岩桐植株上的幼嫩叶片为外植体，先用流水下冲洗1～3h后置于超净工作台中，再于用75%乙醇消毒5～30s后用无菌水洗3～5次，再用0.1%升汞溶液消毒1～10min，用无菌水冲洗4～6次再用无菌滤纸擦干表面的水珠后备用；（2）芽诱导培养：将步骤（1）处理后的叶片切成1×1cm2长的小块并接种到诱导培养基上,先在25～28℃条件下全暗培养1～3天，然后置于每天光照10～12小时，光照强度为1500～3000lx，直至诱导形成不定芽；（3）增殖培养：将步骤（2）培养的叶片边缘伤口处产生的愈伤组织上的不定芽长至约2.0～3.0cm时切下，剪掉其茎尖并接种至增殖培养基上进行增殖培养，接种后先在25～28℃条件下全暗培养3～5天，然后置于每天光照10～13小时，光照强度为1500～2500lx，置于培养温度为25～28℃的条件下培养2～3周后，其叶腋处就会长出许多小芽，再将这些小芽反复切割进行继代培养，得到不定芽；（4）生根培养：将步骤（3）过程获得的高度约为3.5～4.5cm的小芽分切下并接种到生根培养基上进行生根培养，接种后先在25～28℃条件下全暗培养3～7天，然后置于每天光照12～15小时，光照强度为1500～2500lx，培养温度为25～28℃的条件下培养20天左右即开始生根；（5）炼苗移栽：将步骤（4）获得的高约5～7cm、生长健壮、根系粗壮、叶色浓绿的生根试管苗去瓶盖置于自然光照下炼苗3～5天后，将试管苗从培养瓶中取出，洗掉根部培养基并在多菌灵溶液中浸泡8～10s，栽入由营养土:沙土＝3:1混合成的基质,保持湿度并给予60%～80%的遮阴处理。