[发明专利]线路布局及其间隙壁自对准四重图案化的方法有效
申请号: | 201510088209.2 | 申请日: | 2015-02-26 |
公开(公告)号: | CN105489601B | 公开(公告)日: | 2018-12-18 |
发明(设计)人: | 彭及圣 | 申请(专利权)人: | 旺宏电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L21/027;H01L21/033 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 任岩 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明是有关于一种线路布局及其间隙壁自对准四重图案化的方法。该线路布局包括:第一线路、第二线路、第三线路与第四线路。第二线路与第三线路位于第一线路与第四线路之间,且第一线路、第二线路、第三线路与第四线路分别沿着第一方向延伸。第二线路的末段以及第三线路的末段分别具有沿着第二方向延伸的第一凸出部。第二线路的末段的第一凸出部朝向第一线路凸出。第三线路的末段的第一凸出部朝向第四线路凸出。本发明借由形成具有朝向两侧凸出的辅助层的核心层,而可在使用较少次数的微影工艺的情况下,有效增加线路末端之间的间隔距离。 | ||
搜索关键词: | 末段 线路布局 凸出部 凸出 方向延伸 间隙壁 图案化 自对准 间隔距离 微影工艺 线路末端 辅助层 核心层 凸出的 | ||
【主权项】:
1.一种线路布局的间隙壁自对准四重图案化的方法,其特征在于其包括以下步骤:形成一核心层,该核心层包括:一主体层,包括一末端部,沿着一第一方向延伸;一第一辅助层,与该主体层的该末端部连接;以及两个第二辅助层,与该第一辅助层的两侧连接,且沿着一第二方向延伸;形成一第一间隙壁,在该核心层的侧壁;移除该核心层;形成一第二间隙壁与一第三间隙壁,在该第一间隙壁的侧壁,该第二间隙壁位于该第三间隙壁之中,且具有对应于该些第二辅助层的两个第一凸出部;移除该第一间隙壁;移除部分该第二间隙壁、以及部分该些第一凸出部,并进行一图案转移工艺,以形成一第一线路以及一第二线路;以及移除部分该第三间隙壁并进行一图案转移工艺,以形成一第三线路以及一第四线路,该第一线路与该第二线路位于该第三线路与该第四线路之间。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于旺宏电子股份有限公司,未经旺宏电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510088209.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的