[发明专利]可实现高偏振消光比的偏振片及其制作方法和测试装置有效
| 申请号： | 201510088213.9 | 申请日： | 2015-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN104597551B | 公开（公告）日： | 2017-07-28 |
| 发明（设计）人： | 华勇;田自君;张征;乔海燕 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十四研究所 |
| 主分类号： | G02B5/30 | 分类号： | G02B5/30;G01M11/02 |
| 代理公司： | 重庆辉腾律师事务所50215 | 代理人： | 侯懋琪 |
| 地址： | 400060 重庆*** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | 一种可实现高偏振消光比的偏振片，所述偏振片的基体采用由铌酸锂晶体切割而成的铌酸锂晶片；所述铌酸锂晶片为片状结构体，铌酸锂晶片的中部设置有柱状的光波导区，光波导区的轴向与铌酸锂晶片的大平面垂直，光波导区贯通铌酸锂晶片；铌酸锂晶片的大平面上光波导区以外的区域，覆盖有阻光膜层；铌酸锂晶片的大平面与铌酸锂晶体的Y‑Z切向或X‑Z切向平行。本发明的有益技术效果是提供了一种用于替换偏振消光比测试装置中现有偏光棱镜的新的偏振片，使偏振消光比测试装置的测量上限得到提升，改善偏振消光比测试装置的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 实现 偏振 及其 制作方法 测试 装置 | ||
【主权项】：
一种可实现高偏振消光比的偏振片，其特征在于：所述偏振片（10）的基体采用由铌酸锂晶体切割而成的铌酸锂晶片（1）；所述铌酸锂晶片（1）为片状结构体，铌酸锂晶片（1）的中部设置有柱状的光波导区（2），光波导区（2）的轴向与铌酸锂晶片（1）的大平面垂直，光波导区（2）贯通铌酸锂晶片（1）；铌酸锂晶片（1）的大平面上光波导区（2）以外的区域，覆盖有阻光膜层（3）；铌酸锂晶片（1）的大平面与铌酸锂晶体的Y‑Z切向或X‑Z切向平行。
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