[发明专利]半导体结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201510088951.3 | 申请日： | 2015-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN105990281B | 公开（公告）日： | 2018-06-22 |
| 发明（设计）人： | 赖二琨 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L21/60 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体结构及其制造方法。这种半导体结构包括一基板、多个叠层、一势垒层‑捕捉层‑隧穿层结构、多个通道层、一第一绝缘材料及一介电层。叠层形成于基板上。这些叠层分别包括一组交替叠层的导电条及绝缘条、及形成于其上的一第一串行选择线。势垒层‑捕捉层‑隧穿层结构及通道层与叠层共形。第一绝缘材料形成于叠层之间并覆盖通道层的一部分。介电层形成于通道层未被第一绝缘材料覆盖的一部分上。这种半导体结构更包括多个第二串行选择线，形成于叠层之间、第一绝缘材料上，其中第二串行选择线与通道层由介电层分离。 | ||
| 搜索关键词： | 叠层 通道层 半导体结构 绝缘材料 选择线 隧穿层结构 捕捉层 介电层 基板 交替叠层 导电条 绝缘条 势垒层 电层 共形 垒层 覆盖 制造 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，包括：一基板；多个叠层，形成于该基板上，这些叠层分别包括：一组交替叠层的导电条及绝缘条；及一第一串行选择线，形成于该组交替叠层的导电条及绝缘条上；一势垒层‑捕捉层‑隧穿层结构，形成于这些叠层上，该势垒层‑捕捉层‑隧穿层结构与这些叠层共形；多个通道层，形成于该势垒层‑捕捉层‑隧穿层结构上，这些通道层与这些叠层共形；一第一绝缘材料，形成于这些叠层之间，该第一绝缘材料覆盖这些通道层的一部分；一介电层，形成于这些通道层上，其包括直接形成在未被该第一绝缘材料覆盖的通道层表面上，以及形成在覆盖于通道层上的该第一绝缘材料的表面上；以及多个第二串行选择线，形成于这些叠层之间、该第一绝缘材料上，其中这些第二串行选择线与这些通道层由该介电层分离。
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