[发明专利]一种P型NaxCoO2透明导电薄膜的制备方法

摘要

本发明公开了一种P型NaxCoO2透明导电薄膜的制备方法,属于功能薄膜材料技术领域，制备0.5≤x≤0.8的NaxCoO2透明导电薄膜的方法步骤中包括A、陶瓷靶材的制备将Co3O4粉末研磨均匀后，压制成型，再利用高温固相反应法烧结得到制备NaxCoO2透明导电薄膜用的Co3O4靶材；B、脉冲激光沉积薄膜用得到的靶材通过脉冲激光沉积技术在单晶基底上生长c轴取向的CoO以得到预制薄膜；C、钠蒸汽氛围退火，这样即可获得c轴取向的NaxCoO2透明导电薄膜。本方法制备的NaxCoO2透明导电薄膜具有高的载流子浓度和较宽的禁带宽度，因而表现出很好的光电性能，如较低的电阻率和较高的可见光透过率，实验结果可重复、工艺稳定性好。

主权项

一种P型NaxCoO2透明导电薄膜的制备方法,其特征在于：制备0.5≤x≤0.8的NaxCoO2透明导电薄膜的方法步骤中包括：A、陶瓷靶材的制备将Co3O4粉末研磨均匀后，压制成型，再利用高温固相反应法烧结得到制备NaxCoO2透明导电薄膜用的Co3O4靶材，所述的烧结是在高温退火炉中进行，炉内温度控制在650‑750℃，烧结时间为5‑7小时，自然降温至室温，这样重复烧结2‑3次；B、脉冲激光沉积薄膜用得到的靶材通过脉冲激光沉积技术在单晶基底上生长c轴取向的CoO以得到预制薄膜，所述的脉冲激光沉积技术的激光频率1‑10Hz，激光能量密度1.5‑3mJ/cm2，本底真空10‑4‑10‑5Pa，氧压1×10‑2‑80Pa，基底温度600‑700℃，基底和靶材距离40‑60mm，所用的激光器为308nm的XeCL准分子激光器；C、钠蒸汽氛围退火将NaHCO3粉末覆盖在预制薄膜表面，再将预制薄膜置于高温退火炉中进行退火处理，退火温度为700‑750℃、时间为1‑2小时，这样即可获得c轴取向的NaxCoO2透明导电薄膜。