[发明专利]硅、银双置换羟基磷灰石材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201510089318.6 | 申请日： | 2015-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN104724687B | 公开（公告）日： | 2017-03-08 |
| 发明（设计）人： | 杨智杰 | 申请（专利权）人： | 杨智杰 |
| 主分类号： | C01B25/32 | 分类号： | C01B25/32;A61L27/42;A61L27/54;A61L31/12;A61L31/14 |
| 代理公司： | 北京市英智伟诚知识产权代理事务所(普通合伙)11521 | 代理人： | 刘丹妮 |
| 地址： | 550001 贵州省贵阳市*** | 国省代码： | 贵州;52 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种硅、银双置换羟基磷灰石材料，其特征在于，所述材料含有0.1 wt%至10 wt%的银元素和0.1 wt%至10 wt%的硅元素，并且钙、银元素的摩尔数之和与磷、硅元素的摩尔数之和的比值为1.6~1.7。还提供了硅、银双置换羟基磷灰石材料的晶型，以及该硅、银双置换羟基磷灰石材料或其晶型的制备方法。该硅、银双置换羟基磷灰石材料可作为医用生物材料及其他植入类医疗器械的生产和改性材料、作为植入物或填充物等很好的运用于人体骨骼、牙齿等器官。 | ||
| 搜索关键词： | 置换 羟基 磷灰石 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种硅、银双置换羟基磷灰石材料，其特征在于，所述材料含有0.1wt％至10wt％的银元素和0.1wt％至10wt％的硅元素，并且钙、银元素的摩尔数之和与磷、硅元素的摩尔数之和的比值为1.6～1.7；且在所述硅、银双置换羟基磷灰石材料的晶型中，银离子取代羟基磷灰石中钙离子的晶格位置，硅离子取代所述羟基磷灰石中磷离子的晶格位置并引起晶格体积增加。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于杨智杰，未经杨智杰许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510089318.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
