[发明专利]紧凑型三维存储器有效
| 申请号： | 201510090124.8 | 申请日： | 2015-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN104978990B | 公开（公告）日： | 2017-11-10 |
| 发明（设计）人： | 张国飙 | 申请（专利权）人： | 成都海存艾匹科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16;G11C5/02;H01L27/102 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610041 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提出一种紧凑型三维存储器（3D‑MC）。通过在地址线上形成简易开关器件，接触通道孔可以被同一存储层中、或者不同存储层中的地址线共享。这使接触通道孔变得更稀疏，以实现稀疏通道孔。稀疏通道孔对三维集成电路（3D‑IC）的实现有重要意义。 | ||
| 搜索关键词： | 紧凑型 三维 存储器 | ||
【主权项】：
一种紧凑型三维存储器（3D‑MC），其特征在于含有：一半导体衬底(0)；至少一堆叠在该半导体衬底(0)上的第一存储层(10)，该第一存储层含有：连续且导电的的第一x地址线(11a)和第二x地址线(11c)；一连续且导电的、与该第一和第二x地址线(11a, 11c)交叉的y地址线(12a)，至少一存储器件(1aa)形成在交叉处；一连续且导电的、与该第一和第二x地址线(11a, 11c)交叉的第一控制线(17a)，一第一开关器件(3aa)形成在该第一控制线(17a)与该第一x地址线(11a)的交叉处，该第一开关器件(3aa)在第一模式下阻挡该第一x地址线(11a)中的电流流动，在第二模式下允许该第一x地址线(11a)中的电流流动；一连续且导电的、与该第一和第二x地址线(11a, 11c)交叉的第二控制线(17b)，一第二开关器件(3cb)形成在该第二控制线(17b)与该第二x地址线(11c)交叉处，该第二开关器件(3cb)在第三模式下阻挡该第二x地址线(11c)中的电流流动，在第四模式下允许该第二x地址线(11c)中的电流流动；一与该半导体衬底(0)耦合的接触通道孔(13ac)，该第一x地址线(11a)通过该第一开关器件(3aa)与该接触通道孔(13ac)耦合，该第二x地址线(11c)通过该第二开关器件(3cb)与该接触通道孔(13ac)耦合。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于成都海存艾匹科技有限公司，未经成都海存艾匹科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510090124.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
