[发明专利]一种MEMS器件及其制备方法、电子装置有效
| 申请号： | 201510090206.2 | 申请日： | 2015-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN105984839B | 公开（公告）日： | 2017-11-14 |
| 发明（设计）人： | 王伟;郑超;闾新明 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81B7/00 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所11336 | 代理人： | 高伟,冯永贞 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种MEMS器件及其制备方法、电子装置。所述方法包括步骤S1提供底部晶圆，所述底部晶圆包括检测区域，其中，在所述底部晶圆上形成有MEMS器件以及图案化的掩膜层；步骤S2以所述掩膜层为掩膜蚀刻所述检测区域，以在所述检测区域中形成若干相互间隔的虚拟凹槽，作为清洗通道；步骤S3提供顶部晶圆，并与所述底部晶圆接合为一体；步骤S4对所述顶部晶圆的顶部进行划片切割，以形成开口，露出所述虚拟凹槽；步骤S5执行清洗步骤，以清除所述检测区域中的碎片。本发明的优点在于1、减小顶部晶圆切割工艺中的缺陷，完全清除了检测区域中形成的碎片。2、避免了检测探针损坏(Probe Card damage)的发生，降低了制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mems 器件 及其 制备 方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
一种MEMS器件的制备方法，包括：步骤S1：提供底部晶圆，所述底部晶圆包括检测区域，其中，在所述底部晶圆上形成有MEMS器件以及图案化的掩膜层；步骤S2：以所述掩膜层为掩膜蚀刻所述检测区域，以在所述检测区域中形成若干相互间隔的虚拟凹槽，作为清洗通道；步骤S3：提供顶部晶圆，并与所述底部晶圆接合为一体；步骤S4：对所述顶部晶圆的顶部进行划片切割，以形成开口，露出所述虚拟凹槽；步骤S5：执行清洗步骤，以清除所述检测区域中的碎片，其中所述虚拟凹槽的底部到所述顶部晶圆的垂直距离大于所述碎片的尺寸。
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