[发明专利]用于SRAM的存储单元及其读写方法有效
| 申请号： | 201510090262.6 | 申请日： | 2015-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN105989874B | 公开（公告）日： | 2019-01-29 |
| 发明（设计）人： | 方伟;丁艳;陈双文;张静;潘劲东 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/419 | 分类号： | G11C11/419 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 吴贵明;张永明 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于SRAM的存储单元及其读写方法。其中，该存储单元包括：第一位线、第二位线、第三位线、第一字线和第二字线，其中，第一字线用于控制向存储单元写入由第一位线和/或第二位线所指示的电平状态，第二字线用于控制从存储单元读出电平状态，第三位线用于输出读出的电平状态；第一晶体管，通过源极和漏极连接在第三位线与第二字线之间，通过栅极连接至第一位线与第二位线之间的晶体管组，晶体管组用于写入第一位线与第二位线所指示的电平状态。本发明解决了现有的SRAM的存储单元的稳定性的技术问题。 | ||
| 搜索关键词： | 位线 存储单元 字线 电平状态 晶体管组 读写 读出 写入 栅极连接 晶体管 漏极 源极 输出 | ||
【主权项】：
1.一种用于SRAM的存储单元，其特征在于，包括：第一位线、第二位线、第三位线、第一字线和第二字线，其中，所述第一字线用于控制向所述存储单元写入由所述第一位线和/或所述第二位线所指示的电平状态，所述第二字线用于控制从所述存储单元读出电平状态，所述第三位线用于输出读出的所述电平状态；第一晶体管，通过源极和漏极连接在所述第三位线与所述第二字线之间，通过栅极连接至所述第一位线与所述第二位线之间的晶体管组，所述晶体管组用于写入所述第一位线与所述第二位线所指示的所述电平状态。
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