[发明专利]提取LOD效应模型的方法有效
| 申请号： | 201510091616.9 | 申请日： | 2015-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN104657558B | 公开（公告）日： | 2018-01-26 |
| 发明（设计）人： | 廖梦星;张昊 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种提取LOD效应模型的方法，在不同应力参考值下分别提取出多个不同尺寸MOS管的LOD效应模型参数，接着，将不同的LOD效应模型参数分别添加至与所述应力参考值相匹配的初始MOS管模型中，再进行整合，接着，对与预设参考值对应的MOS管尺寸不同的MOS管的LOD效应模型参数进行修改，修改后再进行测试参数的目标重设，从而获得最终的LOD效应模型，实现对不同尺寸的MOS管同时进行LOD效应模型的准确提取，减少误差。 | ||
| 搜索关键词： | 提取 lod 效应 模型 方法 | ||
【主权项】：
一种提取LOD效应模型的方法，其特征在于，包括步骤：提取初始MOS管模型；在不同应力参考值下分别提取出多个不同尺寸MOS管的LOD效应模型参数，所述不同尺寸MOS管对应不同应力参考值，所述应力参考值包括一预设参考值；将不同尺寸MOS管的LOD效应模型参数分别添加至与所述应力参考值相匹配的初始MOS管模型中；将不同尺寸MOS管的LOD效应模型进行整合获得整合后的LOD效应模型；对整合后的LOD效应模型中与所述预设参考值对应的MOS管尺寸不同的MOS管的LOD效应模型参数进行修改，使修改满足预设参考值；对与所述预设参考值对应的MOS管尺寸不同的MOS管进行测试参数的目标重设后，获得最终的LOD效应模型。
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