[发明专利]封装半导体芯片的方法及具有倾斜表面的半导体封装体有效
| 申请号： | 201510091860.5 | 申请日： | 2015-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN104882418B | 公开（公告）日： | 2019-03-26 |
| 发明（设计）人： | K·埃利安;H·托伊斯 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;董典红 |
| 地址： | 德国诺伊*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本申请涉及封装半导体芯片的方法及具有倾斜表面的半导体封装体。在一个方面中，一种封装半导体模块的方法包括提供半导体模块，该半导体模块具有第一表面、与第一表面相对的第二表面和在第一表面和第二表面之间延伸的边侧。至少部分地通过3D印制工艺形成封装组件。该封装组件包括半导体模块和在第一表面上方延伸的保护罩。 | ||
| 搜索关键词： | 封装 半导体 芯片 方法 具有 倾斜 表面 | ||
【主权项】：
1.一种封装半导体模块的方法，所述方法包括：提供半导体模块，所述半导体模块包括第一表面、与所述第一表面相对的第二表面和在所述第一表面与所述第二表面之间延伸的边侧；以及至少部分地通过3D印制工艺形成封装组件，所述封装组件包括所述半导体模块和在所述第一表面上方延伸的保护罩，其中形成封装组件包括通过所述3D印制工艺直接在所述半导体模块的所述第一表面上形成所述保护罩，以及其中所述保护罩包括两个表面，所述两个表面成角度彼此邻接并且远离所述第一表面而延伸以形成相对于所述第一表面的逆行形状。
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