[发明专利]硅太阳能电池及其制造方法

摘要

公开了硅太阳能电池和其制造方法。所述硅太阳能电池包括：掺杂有第一导电杂质的硅半导体基板；所述基板上的掺杂有第二导电杂质的发射极层，所述第二导电杂质的极性与所述第一导电杂质的极性相反；所述基板的整个表面上的防反射层；穿过所述防反射层并连接到所述发射极层的上电极；以及连接到所述基板的下部的下电极。所述发射极层包括重掺杂有所述第二导电杂质的第一发射极层、和轻掺杂有所述第二导电杂质的第二发射极层。所述第二发射极层的表面电阻在100Ohm/sq至120Ohm/sq的范围内。

主权项

一种制造硅太阳能电池的方法，该方法包括以下步骤：制备掺杂有第一导电杂质的硅半导体基板；在所述硅半导体基板的一个表面上形成发射极层，该发射极层具有重掺杂有第二导电杂质的第一发射极层以及轻掺杂有所述第二导电杂质的第二发射极层，所述第二导电杂质的极性与所述第一导电杂质的极性相反，并且所述第一发射极层位于所述第二发射极层上；在所述第一发射极层上的上电极连接到所述第一发射极层的位置处形成刻蚀掩模图案，所述刻蚀掩模图案为网格形；利用所述刻蚀掩模图案作为掩模，通过对所述发射极层的回蚀处理，形成选择性发射极层，其中，在所述发射极层的回蚀处理中，对不存在所述刻蚀掩模图案的所述第一发射极层进行刻蚀，而不对存在所述刻蚀掩模图案的第一发射极层进行刻蚀；去除位于所述第一发射极层上的所述刻蚀掩模图案；在所述选择性发射极层上形成防反射层；在所述第一发射极层上印刷用于上电极的糊状物；在所述硅半导体基板的下部上印刷用于下电极的糊状物；以及对所述第一发射极层上的用于上电极的糊状物和用于下电极的糊状物进行热处理，以形成穿过所述防反射层连接到所述第一发射极层的上电极和连接到所述硅半导体基板的下部的下电极，其中，所述第一发射极层的宽度被形成为比所述上电极的宽度宽。