[发明专利]一种GaN基发光二极管外延片及其制备方法

摘要

本发明公开了一种GaN基发光二极管外延片及其制备方法，属于半导体技术领域。所述外延片包括：衬底，和依次覆盖在所述衬底上的u型GaN层、n型GaN层、多量子阱层、以及p型GaN层，该外延片还包括：设于n型GaN层与多量子阱层之间的势垒结构层，该势垒结构层包括N层势垒结构，每层势垒结构包括：依次生长的u型GaN子层和p型GaN子层。本发明通过在n型GaN层与多量子阱层之间增设由N层势垒结构组成的势垒结构层，形成多层能量势垒，能有效降低大电流密度下n型GaN层中的电子注入多量子阱层的速率，提高了电子和空穴在多量子阱层中的复合率，进而提高了大电流密度下LED芯片的发光效率。

主权项

1.一种GaN基发光二极管外延片，所述外延片包括：衬底(100)，和依次覆盖在所述衬底(100)上的u型GaN层(101)、n型GaN层(102)、多量子阱层(104)、以及p型GaN层(105)，所述多量子阱层(104)包括：交替生长的InGaN阱层(114)和GaN垒层(124)，其特征在于，所述外延片还包括：设于所述n型GaN层(102)与所述多量子阱层(104)之间的势垒结构层(103)，所述势垒结构层(103)包括N层势垒结构，每层所述势垒结构包括：依次生长的u型GaN子层(113)和p型GaN子层(123)，所述u型GaN子层(113)的厚度d1的取值范围为：0nm＜d1≤50nm，所述p型GaN子层(123)的厚度d2的取值范围为：0nm＜d2≤50nm，所述N为大于或者等于2的整数，所述p型GaN子层(123)为掺Mg的GaN子层，Mg源的流量F的取值范围为：0＜F≤100sccm。