[发明专利]一种对准图形及其制作方法有效
| 申请号： | 201510094928.5 | 申请日： | 2015-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN105988311B | 公开（公告）日： | 2018-03-16 |
| 发明（设计）人： | 李兵;章国伟 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G03F9/00 | 分类号： | G03F9/00;H01L23/544 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所11336 | 代理人： | 董巍,高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种对准图形及其制作方法，所述制作方法包括提供晶圆，所述晶圆表面上形成负光阻；进行第一曝光，以初步定义正常的凸块图形；选取位于所述晶圆的边缘的包含有效芯片数量不超过10个的若干区域为第二曝光区域，进行至少一次第二曝光，其中所述第二曝光位置与所述第一曝光位置至少错开二分之一所述负光阻已打开图形的距离；进行显影，其中在所述第二曝光区域的负光阻不会被显影去掉；形成凸块和位于所述第二曝光区域的无凸块区。根据本发明的制作方法，降低对准图形在晶圆上的重复率，极大降低DPS对准偏差问题，避免大量返工或者将无效芯片出货的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 对准 图形 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种对准图形的制作方法，其特征在于，包括：提供晶圆，所述晶圆表面上形成负光阻；进行第一曝光，以初步定义正常的凸块图形；选取位于所述晶圆的边缘的包含有效芯片数量不超过10个的若干区域为第二曝光区域，进行至少一次第二曝光，其中所述第二曝光位置与所述第一曝光位置至少错开二分之一所述负光阻已打开图形的距离；进行显影，其中在所述第二曝光区域的负光阻不会被显影去掉；形成凸块和位于所述第二曝光区域的无凸块区，凸块区和所述无凸块区组合成对准图形。
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