[发明专利]多孔NiO/CeO2杂化纳米片阵列及其制备方法和用途有效
| 申请号： | 201510095023.X | 申请日： | 2015-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN104649337A | 公开（公告）日： | 2015-05-27 |
| 发明（设计）人： | 崔接武;吴玉程;张信义;王岩;张勇 | 申请（专利权）人： | 合肥工业大学 |
| 主分类号： | C01G53/04 | 分类号： | C01G53/04;C01F17/00;G01N27/26;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司11212 | 代理人： | 沈尚林 |
| 地址： | 230000*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种多孔NiO/CeO2杂化纳米片阵列的制备方法及其用途。具体方法是将盐酸清洗后的泡沫镍置于含有硝酸铈、氟化铵和尿素的混合溶液中，在不同的温度下进行水热反应，从而获得NiO/CeO2杂化纳米片阵列的前驱体。随后对前驱体在空气中进行煅烧处理，制备多孔NiO/CeO2杂化纳米线阵列。其中多孔NiO/CeO2杂化纳米片的厚度约为10-25nm，纳米片上孔的直径为5-40nm。该杂化纳米片阵列具有良好的电化学性能，可以用作生物传感器的基体材料。 | ||
| 搜索关键词： | 多孔 nio ceo2 纳米 阵列 及其 制备 方法 用途 | ||
【主权项】：
一种多孔NiO/CeO2杂化纳米片阵列，直接生长于泡沫镍表面，其特征在于，多孔NiO/CeO2杂化纳米片的厚度约为10‑25nm，纳米片上孔的直径为5‑40 nm。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于合肥工业大学;，未经合肥工业大学;许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510095023.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
