[发明专利]半导体存储器器件和存储器系统

摘要

本发明涉及半导体存储器器件和存储器系统。根据一个实施例，半导体存储器器件包括：晶体管；NAND串；位线；源线；以及串集合。将所述晶体管在半导体衬底之上层叠。在所述串集合的一个中，在第一NAND串中的第一晶体管具有第一阈值，并且在第二NAND串中的第一晶体管具有低于所述第一阈值的第二阈值。

主权项

一种半导体存储器器件，包含：多个晶体管，每个包括电荷积累层和控制栅极，并且所述多个晶体管被层叠在半导体衬底之上；多个NAND串，每个包括串联连接的多个所述晶体管；位线，所述位线被电气连接到位于所述串联连接的一端侧上的第一晶体管的一端；源线，所述源线被电气连接到位于所述串联连接的另一端侧上的第二晶体管的一端；以及多个串集合，每个包括多个所述NAND串，其中，在所述串集合的一个中，在第一NAND串中的所述第一晶体管具有第一阈值，并且在第二NAND串中的所述第一晶体管具有低于所述第一阈值的第二阈值。