[发明专利]一种提升薄膜半导体晶体管电学性能的方法在审
| 申请号： | 201510096582.2 | 申请日： | 2015-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN104716024A | 公开（公告）日： | 2015-06-17 |
| 发明（设计）人： | 张锡健;张炳磊;宋爱民 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 吕利敏 |
| 地址： | 250199 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种提升薄膜半导体晶体管电学性能的方法，具体是指，在所述薄膜半导体晶体管表面覆盖一层有机层或无机层。在所述薄膜半导体晶体管表面覆盖一层有机层或无机层，一方面很大程度地将薄膜半导体晶体管与外界空气隔离，极大地减少空气中的H2O、O2以及(OH)-等物质对薄膜半导体晶体管性能的负面影响；另一方面很大程度地减少薄膜半导体晶体管表面的缺陷态，由于表面缺陷态会束缚器件中载流子的输运，导致薄膜半导体晶体管性能的恶化，所以覆盖一层有机层或者无机层之后使得薄膜半导体晶体管性能得到很大改善。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提升 薄膜 半导体 晶体管 电学 性能 方法 | ||
【主权项】：
一种提升薄膜半导体晶体管电学性能的方法，其特征在于，具体是指，在所述薄膜半导体晶体管表面覆盖一层有机层或无机层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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