[发明专利]半导体装置无效
| 申请号： | 201510096984.2 | 申请日： | 2015-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN105280693A | 公开（公告）日： | 2016-01-27 |
| 发明（设计）人： | 押野雄一;小仓常雄 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 张世俊 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 实施方式的半导体装置具有第2导电型的第1半导体区域、第1导电型的第2半导体区域、第2导电型的第3半导体区域、第1导电型的第5半导体区域、栅极电极、以及第2导电型的第4半导体区域。栅极电极在与从第3半导体区域朝向第2半导体区域的第3方向正交的第1方向上，隔着第1绝缘区域而与第3半导体区域相邻的部分的长度比隔着第1绝缘区域而与第5半导体区域相邻的部分的长度长。第4半导体区域具有比第3半导体区域中的位于第4半导体区域与第5半导体区域之间的部分的第2导电型的载流子密度高的第2导电型的载流子密度。第4半导体区域相对于第1绝缘区域的第1方向侧的端部设置在第1方向侧。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于包括：第2导电型的第1半导体区域；第1导电型的第2半导体区域，设置在所述第1半导体区域上；第2导电型的第3半导体区域，设置在所述第2半导体区域上；第1导电型的第5半导体区域，选择性地设置在所述第3半导体区域上；栅极电极，隔着与所述第5半导体区域相接的第1绝缘区域而设置在所述第3半导体区域内，在与从所述第3半导体区域朝向所述第2半导体区域的第3方向正交的第1方向上，隔着所述第1绝缘区域而与所述第3半导体区域相邻的部分的长度比隔着所述第1绝缘区域而与所述第5半导体区域相邻的部分的长度长；以及第2导电型的第4半导体区域，选择性地设置在所述第3半导体区域上，具有比所述第3半导体区域中的位于与所述第5半导体区域之间的部分的第2导电型的载流子密度高的第2导电型的载流子密度，且相对于所述第1绝缘区域的所述第1方向侧的端部设置在所述第1方向侧。
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