[发明专利]一种基于φ32mm药卷的光面爆破方法有效

专利信息
申请号: 201510097511.4 申请日: 2015-03-05
公开(公告)号: CN104713431A 公开(公告)日: 2015-06-17
发明(设计)人: 杨玉银;陈长贵;王进良;黄浩;刘志辉 申请(专利权)人: 中国水利水电第五工程局有限公司
主分类号: F42D1/00 分类号: F42D1/00;F42D1/08;F42D3/04
代理公司: 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 代理人: 罗言刚
地址: 610000 四川*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 一种基于φ32mm药卷的光面爆破方法,包括在作业面上打孔和装药,及起爆过程,光爆层由位于外侧更靠近顶部边界的周边光爆孔列和位于周边光爆孔列内部的外圈崩落孔列组成;周边光爆孔密集系数m=1.25~1.43;周边光爆孔列内的周边光爆孔内的装药包括位于底部的底部装药和位于孔内不同深度的多支中部装药,所述中部装药的装药量小于底部装药;底部装药与中部装药之间、中部装药与中部装药之间间距相同,周边光爆孔列的起爆时间晚于外圈崩落孔列起爆时间。本发明减少了光爆药串加工工序和加工材料;节省了光爆药串加工费及竹片、胶布等材料费,并有效控制超挖,从而节省因超挖造成的大量混凝土回填,降低施工成本。
搜索关键词: 一种 基于 32 mm 光面 爆破 方法
【主权项】:
一种基于φ32mm药卷的光面爆破方法,包括在作业面上打孔和装药,及起爆过程,其特征在于:所述打孔具体为:沿作业面边界定义光爆层,光爆层由位于外侧更靠近顶部边界的周边光爆孔列和位于周边光爆孔列内部的外圈崩落孔列组成;外圈崩落孔列下方设置掏槽孔阵列;周边光爆孔密集系数m=1.25~1.43,所述周边光爆孔密集系数m=E/W,E为周边光爆孔的孔距,W为光爆层厚度;所述装药具体为:周边光爆孔列内的周边光爆孔内的装药包括位于底部的底部装药和位于孔内不同深度的多支中部装药,所述中部装药的装药量小于底部装药;底部装药与中部装药之间、中部装药与中部装药之间间距相同;还包括从孔口伸入周边光爆孔连接底部装药的导爆索,导爆索连接底部装药朝向孔底的一端;所述周边光爆孔、外圈崩落孔均垂直于作业面;装药完成后,周边光爆孔不填塞;所述起爆过程中,周边光爆孔列的起爆时间晚于外圈崩落孔列起爆时间;不同周边光爆孔的起爆时间误差小于2毫秒。
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