[发明专利]发光二极管及其制作方法有效
| 申请号： | 201510097522.2 | 申请日： | 2015-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN104638078B | 公开（公告）日： | 2017-05-10 |
| 发明（设计）人： | 蒙成;吴俊毅;陶青山;王笃祥 | 申请（专利权）人： | 天津三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/10 | 分类号： | H01L33/10;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300384 天津*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种发光二极管及其制作方法，其有效提高了发光二极管的外部取光效率。该发光二极管包括发光外延叠层，具有相对的第一表面和第二表面，包含n型半导体层、发光层和p型半导体层；透光性介电层，位于所述发光外延叠层的第二表面上，其内部具有导电通孔；透光性导电层，位于所述透光性介电层之远离发光外延叠层的一侧表面上；金属反射层，位于所述透光性导电层之远离所述透光性介电层的一侧表面上；所述透光性介电层的折射率均小于所述发光外延叠层、透光性导电层的折射率，所述发光外延叠层、透光性介电和透光性导电层构成一增强反射系统。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
发光二极管，包括：发光外延叠层，具有相对的第一表面和第二表面，包含n型半导体层、发光层和p型半导体层；透光性介电层，位于所述发光外延叠层的第二表面上，并直接与所述发光外延叠层接触，其内部具有导电通孔，所述透光性介电层中掺杂有受热可产生气体的发泡粒子；透光性导电层，位于所述透光性介电层之远离发光外延叠层的一侧表面上；金属反射层，位于所述透光性导电层之远离所述透光性介电层的一侧表面上；所述透光性介电层的折射率均小于所述发光外延叠层、透光性导电层的折射率，所述发光外延叠层、透光性介电和透光性导电层构成一增强反射系统。
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