[发明专利]一种硅基碲化锌缓冲层分子束外延工艺方法在审
| 申请号： | 201510097914.9 | 申请日： | 2015-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN104746143A | 公开（公告）日： | 2015-07-01 |
| 发明（设计）人： | 王丛;刘铭;周立庆;王经纬;高达 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十一研究所 |
| 主分类号： | C30B29/46 | 分类号： | C30B29/46;C30B25/02;C30B25/16;C30B33/02;H01L21/02 |
| 代理公司： | 工业和信息化部电子专利中心 11010 | 代理人： | 田卫平 |
| 地址： | 100015*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种硅基碲化锌缓冲层分子束外延工艺方法。其包括：砷层形成步骤：在硅衬底的上表面上采用砷束流进行表面钝化，以在所述硅衬底的上表面上形成砷层；碲化锌缓冲层形成步骤：在所述砷层的上方通过碲束流外延单个碲层，在所述单个碲层的上表面上通过锌束流外延单个锌层，以形成第1个周期层，其中，周期层包括单个碲层和设置于所述单个碲层上表面上的单个锌层，在所述第1个周期层的上表面上顺次叠置n-1个周期层，以形成包括n个周期层的碲化锌缓冲层，n为正整数。采用外延工艺方法得到的碲化锌缓冲层的单晶化好，结晶度高，并且提高硅基碲化镉复合衬底的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅基碲化锌 缓冲 分子 外延 工艺 方法 | ||
【主权项】：
一种硅基碲化锌缓冲层分子束外延工艺方法，其特征在于，包括：砷层形成步骤：在硅衬底的上表面上采用砷束流进行表面钝化，以在所述硅衬底的上表面上形成砷层；碲化锌缓冲层形成步骤：在所述砷层的上方通过碲束流外延单个碲层，在所述单个碲层的上表面上通过锌束流外延单个锌层，以形成第1个周期层，其中，周期层包括单个碲层和设置于所述单个碲层上表面上的单个锌层，在所述第1个周期层的上表面上顺次叠置n‑1个周期层，以形成包括n个周期层的碲化锌缓冲层，n为正整数。
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