[发明专利]用于电化学法制备多孔硅的双槽装置及制备多孔硅的方法

摘要

针对现有制备SOI硅片上多孔硅上的不足，本发明提供一种用于电化学法制备多孔硅的双槽装置及制备多孔硅的方法。本发明的双槽装置包括外槽体、内槽体、下层垫圈、上层垫圈、槽体螺栓、螺母、垫圈螺栓；本发明的制备方法包括备片、硅片安置、装置安装、电化学腐蚀四步。有益的实际效果本发明可以专用于SOI硅片上多孔硅的制备，也可以实现普通硅片上多孔硅的制备，并且多孔硅制备的形状可控。

主权项

用于电化学法制备多孔硅的双槽装置，其特征在于：包括外槽体(1)、内槽体(2)、下层垫圈、上层垫圈(4)、槽体螺栓(5)、螺母(6)和垫圈螺栓(7)；所述外槽体(1)为顶部开口的中空容器；在外槽体(1)的腔体底面上设有4个以上的槽体螺栓(5)；所述槽体螺栓(5)均与外槽体(1)的腔体底面竖直连接，且在每个槽体螺栓(5)的中部均设有环形的限位块；所述下层垫圈为圆板状，且有2个，其中1个下层垫圈上设有下层垫圈腐蚀窗口，称为有下层垫圈腐蚀窗口下层垫圈(31)，另1个下层垫圈上不设置下层垫圈腐蚀窗口，称为无下层垫圈腐蚀窗口下层垫圈(32)；在每个下层垫圈的边缘设有与槽体螺栓(5)相对应的下层垫圈侧槽体螺栓定位孔；在每个下层垫圈的顶面的边缘设有4个以上的垫圈螺栓(7)；所述垫圈螺栓(7)均与下层垫圈的顶面竖直连接；在每个下层垫圈的边缘设有1个以上的腰形孔；所述上层垫圈(4)呈圆板状；在上层垫圈(4)的中部设有1个以上的上层垫圈腐蚀窗口；在上层垫圈(4)的边缘设有与槽体螺栓(5)相对应的上层垫圈侧槽体螺栓定位孔，在上层垫圈(4)的边缘还设有与垫圈螺栓(7)相对应的上层垫圈侧垫圈螺栓定位孔；在上层垫圈(4)的边缘设有1个以上的腰形孔；所述内槽体(2)为上下开口的筒状体；在内槽体(2)的底部设有水平向外延伸的底边；所述底边与槽体螺栓(5)的数量相同，且在内槽体(2)的每个底边上均开有一个与槽体螺栓(5)相对应的内槽体侧槽体螺栓定位孔；用本双槽装置制作SOI硅片上的多孔硅层时，将上层垫圈(4)套在无下垫圈层腐蚀窗口的下层垫圈(32)的垫圈螺栓(7)上，通过旋紧垫圈螺栓(7)顶部的螺母(6)，将上层垫圈(4)和无下层垫圈腐蚀窗口下层垫圈(32)连接在一起；将连接在一起的无下层垫圈腐蚀窗口下层垫圈(32)和上层垫圈(4)套在槽体螺栓(5)的环形限位块上；再将内槽体(2)套在槽体螺栓(5)上，并旋紧槽体螺栓(5)顶部的螺母(6)，从而将内槽体(2)、上层垫圈(4)、无下层垫圈腐蚀窗口下层垫圈(32)与外槽体(1)连接在一起；用本双槽装置制作非SOI硅片上的多孔硅层时，将上层垫圈(4)套在有下垫圈层腐蚀窗口的下层垫圈(31)的垫圈螺栓(7)上，通过旋紧垫圈螺栓(7)顶部的螺母(6)，将上层垫圈(4)和有下层垫圈腐蚀窗口下层垫圈(31)连接在一起；将连接在一起的有下层垫圈腐蚀窗口下层垫圈(31)和上层垫圈(4)套在槽体螺栓(5)的环形限位块上；再将内槽体(2)套在槽体螺栓(5)上，并旋紧槽体螺栓(5)顶部的螺母(6)，从而将内槽体(2)、上层垫圈(4)、有下层垫圈腐蚀窗口下层垫圈(31)与外槽体(1)连接在一起。