[发明专利]一种读头传感器在审

专利信息
申请号: 201510100220.6 申请日: 2015-01-28
公开(公告)号: CN104810026A 公开(公告)日: 2015-07-29
发明(设计)人: 淡河纪宏;驹垣幸次郎 申请(专利权)人: HGST荷兰有限公司
主分类号: G11B5/115 分类号: G11B5/115;G11B5/127
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人: 关兆辉;谢丽娜
地址: 荷兰阿*** 国省代码: 荷兰;NL
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摘要: 发明的公开一般涉及一种读头传感器,特别是在记录磁头中的读头传感器。读头传感器包括传感器叠层内的双包覆层,用于减少磁耦合从而增强读头传感器中的磁偏置场,例如,域控制。更进一步,具有不同膜特性的多个膜叠层的上屏蔽也被用于增强对读头传感器产生的偏置场。另外,线圈结构定位在侧屏蔽附近,用于增强读头传感器中的偏置场产生。
搜索关键词: 一种 传感器
【主权项】:
一种读头传感器,包括:下屏蔽;上屏蔽,设置在所述下屏蔽上方;以及传感器叠层,设置在所述下屏蔽和所述上屏蔽之间,其中所述传感器叠层包括:钉扎磁层;间隔层,设置在所述钉扎磁层之上;自由磁层,设置在所述间隔层之上;以及双包覆层,设置在所述自由磁层上,所述双包覆层包括设置在非磁层上的磁层;以及侧屏蔽,设置在所述下屏蔽之上和所述上屏蔽下方的传感器叠层附近。
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