[发明专利]半导体装置

摘要

半导体装置包括：半导体衬底，具有第一面、及第二面；第一半导体层，设置在半导体衬底的第一面侧；第二半导体层，设置在第一半导体层的第二面侧；第三半导体层，设置在第二半导体层的第二面侧；栅极层，设置在半导体衬底内部，在第一方向延伸，在第二方向上并列配置，第一面侧的端部比第三半导体层靠近第一面侧；第一半导体区域，设置在第一栅极层与第二栅极层之间的第三半导体层；栅极绝缘膜，设置在第一栅极层与第二半导体层、第三半导体层、及第一半导体区域之间，与除第一半导体区域外的区域之间的膜厚是厚于与第一半导体区域之间的膜厚；发射电极，电连接第一半导体区域；及集电极，电连接第一半导体层。

主权项

一种半导体装置，其特征在于包括：半导体衬底，具有第一面、及与所述第一面对向的第二面；第一导电型的第一半导体层，设置在所述半导体衬底的所述第一面侧；第二导电型的第二半导体层，设置在所述第一半导体层的所述第二面侧；第一导电型的第三半导体层，设置在所述第二半导体层的所述第二面侧；多个栅极层，设置在所述半导体衬底内部，在第一方向延伸，在与所述第一方向正交的第二方向上并列配置，所述第一面侧的端部比所述第三半导体层靠近所述第一面侧；多个第二导电型的第一半导体区域，设置在所述多个栅极层中的相邻的第一栅极层与第二栅极层之间的所述第三半导体层；栅极绝缘膜，设置在所述第一栅极层与所述第二半导体层、所述第三半导体层、及所述第一半导体区域之间，与除所述第一半导体区域外的区域之间的膜厚是厚于与所述第一半导体区域之间的膜厚；发射电极，电连接在所述第一半导体区域；以及集电极，电连接在所述第一半导体层。