[发明专利]一种铜掺杂金属-有机框架DMCoF单晶材料及其制备方法在审
申请号: | 201510101669.4 | 申请日: | 2015-03-09 |
公开(公告)号: | CN104762662A | 公开(公告)日: | 2015-07-08 |
发明(设计)人: | 汪俊姝;王顺利;李培刚;吴小平;李小云 | 申请(专利权)人: | 浙江理工大学 |
主分类号: | C30B29/54 | 分类号: | C30B29/54;C30B7/10;C30B7/14 |
代理公司: | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人: | 张法高 |
地址: | 310018 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种铜掺杂金属-有机框架DMCoF单晶材料及其制备方法,铜掺杂金属-有机框架DMCoF单晶材料是由尺寸为3.0×3.0×1.5~4.0×4.0×2.5mm3,并且化合物中铜离子和钴离子的摩尔百分比为1:1的DMCu0.5Co0.5F单晶组成。所用试剂为商业产品,无需繁琐制备;利用水热法和液相法相结合获得新型金属-有机框架单晶材料以及尺寸更大的单晶;工艺可控性强,易操作,制得的产物纯度高。本发明所得的铜掺杂DMCoF单晶材料,有望在新型金属-有机框架半导体、信息存储和光学器件方面得到广泛的应用。 | ||
搜索关键词: | 一种 掺杂 金属 有机 框架 dmcof 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种铜掺杂金属‑有机框架DMCoF单晶材料,其特征在于,是由尺寸为3.0×3.0×1.5~4.0×4.0×2.5 mm3,并且化合物中铜离子和钴离子的摩尔百分比为1:1的DMCu0.5Co0.5F单晶组成。
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