[发明专利]薄膜晶体管阵列基板的检测装置及检测方法

摘要

一种薄膜晶体管阵列基板的检测装置，用于对薄膜晶体管阵列基板进行缺陷检测，所述检测装置包括载台基座以及设置在所述载台基座上的加热装置，所述加热装置用于在进行缺陷检测之前对置于所述载台基座上的薄膜晶体管阵列基板先进行加热。本发明还提供一种薄膜晶体管阵列基板的检测方法。本发明利用半导体的热敏特性，通过设置加热装置给待检测的薄膜晶体管阵列基板先加热升温，使薄膜晶体管阵列基板中的非晶硅残留中的载流子数目增加，增强非晶硅残留的电学活性，进而在检测时增大非晶硅残留对像素电压的影响，以利于将具有非晶硅残留缺陷的像素检测出，从而避免有缺陷的产品出现漏检。

主权项

一种薄膜晶体管阵列基板的检测方法，用于对薄膜晶体管阵列基板(40)进行非晶硅残留缺陷检测，其特征在于，所述检测方法包括如下步骤：将薄膜晶体管阵列基板(40)置于载台基座(30)上；利用加热装置(32)先对薄膜晶体管阵列基板(40)进行加热；以及当薄膜晶体管阵列基板(40)被加热达到预定温度时，对薄膜晶体管阵列基板(40)开始进行非晶硅残留缺陷检测，在进行非晶硅残留缺陷检测时，具体是通过检测像素电压的变化，来判断所检测的像素是否存在非晶硅残留缺陷。