[发明专利]具有气隙的半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201510103190.4 | 申请日： | 2015-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN105280608B | 公开（公告）日： | 2019-05-28 |
| 发明（设计）人： | 金银贞;李振烈 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/764 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 俞波;周晓雨 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种半导体器件包括：第一插塞；位线，与第一插塞接触并且在第一插塞之上，以及在一个方向上延伸；第二插塞，包括与位线相邻的第一部分和与第一插塞相邻的第二部分；双气隙，设置在第二插塞的第一部分与位线之间，并且包括包围第二插塞的第一部分的第一气隙和与位线的侧壁平行的第二气隙；以及覆盖层，适于覆盖第一气隙和第二气隙。 | ||
| 搜索关键词： | 有气 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：第一插塞；位线，与所述第一插塞耦接，提供在所述第一插塞之上，以及在一个方向上延伸；第二插塞，包括与所述位线相邻的第一部分和与所述第一插塞相邻的第二部分；双气隙，设置在所述第二插塞的第一部分与所述位线之间，并且包括第一气隙和第二气隙，其中，所述第一气隙包围所述第二插塞的第一部分，并且所述第二气隙与所述位线平行地延伸；覆盖层，覆盖所述第一气隙和所述第二气隙；第一电介质间隔件，从所述位线的侧壁之上延伸至所述第一插塞的侧壁之上；以及第二电介质间隔件，设置在所述第一气隙和所述第二气隙之间，其中，所述第二电介质间隔件的一部分与所述覆盖层接触。
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