[发明专利]降低动态损耗的沟槽式二极管结构在审
| 申请号： | 201510103244.7 | 申请日： | 2015-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN104659112A | 公开（公告）日： | 2015-05-27 |
| 发明（设计）人： | 程炜涛 | 申请（专利权）人： | 江苏中科君芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 曹祖良;张涛 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市新区菱*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种二极管结构，尤其是一种降低动态损耗的沟槽式二极管结构，属于半导体器件的技术领域。按照本发明提供的技术方案，所述降低动态损耗的沟槽式二极管结构，包括半导体基板，所述半导体基板内包括用于形成PN结的P导电区域与N导电区域；在所述P导电区域内设有若干隔离沟槽，所述隔离沟槽在P导电区域内垂直延伸，且隔离沟槽的槽底位于N导电区域内；所述P导电区域与半导体基板上的阳极金属欧姆接触。本发明在P导电区域内设置隔离沟槽或N+区域，以减少P导电区域与阳极金属的接触面积，从而能有效降低二极管的动态损耗，避免二极管的接触电阻变大以及漏电增加的情况，结构紧凑，安全可靠。 | ||
| 搜索关键词： | 降低 动态 损耗 沟槽 二极管 结构 | ||
【主权项】：
一种降低动态损耗的沟槽式二极管结构，包括半导体基板，所述半导体基板内包括用于形成PN结的P导电区域（2）与N导电区域（3）；其特征是：在所述P导电区域（2）内设有若干隔离沟槽（5），所述隔离沟槽（5）在P导电区域（2）内垂直延伸，且隔离沟槽（5）的槽底位于N导电区域（3）内；所述P导电区域（2）与半导体基板上的阳极金属（1）欧姆接触。
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