[发明专利]固态成像设备和成像系统有效

专利信息
申请号: 201510103714.X 申请日: 2015-03-10
公开(公告)号: CN104917980B 公开(公告)日: 2018-06-12
发明(设计)人: 小林昌弘;市川武史;户塚洋史;大贯裕介 申请(专利权)人: 佳能株式会社
主分类号: H04N5/374 分类号: H04N5/374;H01L27/148
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 欧阳帆
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明涉及固态成像设备和成像系统。固态成像设备包括多个像素,像素包括:光电转换部;电荷保持部,积聚从光电转换部转移的信号电荷;以及浮置扩散区,电荷保持部的信号电荷被转移到浮置扩散区,其中,光电转换部包括第一导电类型的第一半导体区以及在第一半导体区下面形成的第二导电类型的第二半导体区,电荷保持部包括第一导电类型的第三半导体区以及在第三半导体区下面形成的第二导电类型的第四半导体区,并且第三半导体区与第四半导体区之间的p‑n结的位置比第一半导体区与第二半导体区之间的p‑n结深。
搜索关键词: 半导体区 固态成像设备 电荷保持部 光电转换部 第一导电类型 浮置扩散区 成像系统 导电类型 信号电荷 像素 积聚
【主权项】:
一种固态成像设备,其特征在于,包括:多个像素,所述多个像素中的每一个包括光电转换部,对入射光进行光电转换以产生信号电荷;电荷保持部,积聚从光电转换部转移的信号电荷;以及浮置扩散区,电荷保持部的信号电荷被转移到所述浮置扩散区,其中,光电转换部包括第一导电类型的第一半导体区,以及在第一半导体区下面形成的第二导电类型的第二半导体区,所述信号电荷被保持在第二半导体区中;电荷保持部包括第一导电类型的第三半导体区,以及在第三半导体区下面形成的第二导电类型的第四半导体区,所述信号电荷被保持在第四半导体区中;并且第三半导体区与第四半导体区之间的p‑n结的位置比第一半导体区与第二半导体区之间的p‑n结深。
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